Repository logo

Browsing by Subject "technologia SOI"

Filter results by typing the first few letters
Now showing 1 - 1 of 1
  • thumbnail.journal.alt
    Item type:Doctoral Dissertation, Access status: Open Access ,
    Monolithic silicon pixel detector in SOI technology design, realization and characterization
    (Data obrony: 2006-12-13) Niemiec, Halina
    Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki
    Praca poświęcona została zagadnieniom związanym z wykonaniem w technologii SOI (z ang. „Silicon On Insulator") krzemowych monolitycznych detektorów mozaikowych z aktywnymi komórkami. W rozprawie przedstawiono koncepcję detektora promieniowania jonizującego, wykorzystującego specyficzną strukturę płytek podłożowych SOI - obecność cienkiej warstwy aktywnej krzemu odizolowanej warstwą dielektryka od warstwy krzemu stanowiącej wsparcie mechaniczne. Autorka przedstawiła sposób, w jaki wspomniana konfiguracja może być praktycznie wykorzystana do realizacji diod detektora krzemowego w dolnej warstwie półprzewodnika, zaś elektroniki odczytowej - w górnej. Omówiła technologię wytwarzania monolitycznych detektorów SOI oraz proces weryfikowania i charakteryzowania tej technologii (projekt oraz badania dedykowanych struktur testowych, umożliwiających pomiar charakterystyk elementów układów scalonych, ekstrakcję podstawowych parametrów tranzystorów, oszacowanie rozrzutów parametrów technologicznych elementów oraz ocenę jakości złącz czułych na promieniowanie nowego detektora). Następnie przedstawiła projekt i optymalizację szumową prototypowych detektorów SOI (niewielkich matryc 64 komórek sensora oraz bardziej rozbudowanych struktur, składające się z 2304 lub 16 383 komórek) oraz zaprezentowała i przeanalizowała wyniki pomiaru parametrów rozwijanych detektorów SOI. Wskazała również na dalsze perspektywy rozwoju projektu.