Repository logo
Thesis

Porównanie właściwości tranzystorów MOSFET, SiC i GaN w klasie napięciowej 600-650V na podstawie analizy strat mocy w przekształtniku typu buck

Simple item page
dc.contributor.authorGrzesiak, Barbara
dc.contributor.departmentWydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Inżynierii Biomedycznej
dc.contributor.reviewerPenczek, Adam
dc.contributor.supervisorMondzik, Andrzej
dc.date.available2020-04-22T00:41:23Z
dc.date.defence2018-07-13
dc.date.submitted2018-07-06
dc.description.typepraca magisterska
dc.identifier.other0006277
dc.identifier.urihttps://repo.agh.edu.pl/handle/AGH/91170
dc.language.isopol
dc.rightsAccess rights reserved
dc.rights.accesszastrzeżony dostęp
dc.rights.accessNoteZarządzenie Rektora AGH
dc.rights.urihttps://repo.agh.edu.pl/info/restricted-access
dc.subjectMOSFETen
dc.subjectSiC i GaN transistoren
dc.subjectpower losses analysisen
dc.subjectbuck converteren
dc.subjecttranzystor MOSFETpl
dc.subjectSiC i GaNpl
dc.subjectstraty mocypl
dc.subjectprzekształtnik typu buckpl
dc.titlePorównanie właściwości tranzystorów MOSFET, SiC i GaN w klasie napięciowej 600-650V na podstawie analizy strat mocy w przekształtniku typu buckpl
dc.title.alternativeComparison of the properties of MOSFET, SiC and GaN transistors in 600-650V voltage class based on power loss analysis in the buck converteren
dc.typepraca dyplomowa
dspace.entity.typePublication
thesis.degree.disciplineElektrotechnika (WEAIiIB)pl
thesis.degree.formOfStudystacjonarnepl
thesis.degree.grantorAkademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowiepl
thesis.degree.levelstudia drugiego stopniapl
thesis.degree.namemagister inżynierpl
thesis.identifier.dxp239888
thesis.statusORPDORPPD1_sent

Files

Collections

03. Prace magisterskie WEAIiIB (WEAIiIB-pdm)