Repository logo
Thesis

Właściwości i stosowalność tranzystorów SiC i GaN

Simple item page
dc.contributor.authorGrzesiak, Barbara
dc.contributor.departmentWydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Inżynierii Biomedycznej
dc.contributor.reviewerPenczek, Adam
dc.contributor.supervisorMondzik, Andrzej
dc.date.available2020-04-21T22:56:33Z
dc.date.defence2017-01-18
dc.date.submitted2017-01-13
dc.description.typepraca inżynierska
dc.identifier.other0005089
dc.identifier.urihttps://repo.agh.edu.pl/handle/AGH/90341
dc.language.isopol
dc.rightsAccess rights reserved
dc.rights.accesszastrzeżony dostęp
dc.rights.accessNoteZarządzenie Rektora AGH
dc.rights.urihttps://repo.agh.edu.pl/info/restricted-access
dc.subjectSiC transistoren
dc.subjectGaN transistoren
dc.subjectdriversen
dc.subjecttranzystor SiCpl
dc.subjecttranzystor GaNpl
dc.subjectsterowniki tranzystorówpl
dc.titleWłaściwości i stosowalność tranzystorów SiC i GaNpl
dc.title.alternativeThe properties and applicability of Sic and GaN transistorsen
dc.typepraca dyplomowa
dspace.entity.typePublication
thesis.degree.disciplineElektrotechnika (WEAIiIB)pl
thesis.degree.formOfStudystacjonarnepl
thesis.degree.grantorAkademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowiepl
thesis.degree.levelstudia pierwszego stopniapl
thesis.degree.nameinżynierpl
thesis.identifier.dxp161665
thesis.statusORPDORPPD1_sent

Files

Collections

03. Prace inżynierskie WEAIiIB (WEAIiIB-pdi)