Repository logo
Thesis

Rola buforowej warstwy tlenkowej na powierzchni Si (100) we wzroście warstw silseskwioksanowych

dc.contributor.authorSzewczyk, Karolina
dc.contributor.departmentWydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki
dc.contributor.reviewerDorosz, Dominik
dc.contributor.supervisorHandke, Bartosz
dc.date.available2019-08-09T09:50:02Z
dc.date.defence2019-07-01
dc.description.typepraca magisterska
dc.identifier.urihttps://repo.agh.edu.pl/handle/AGH/75936
dc.language.isopolpl
dc.rightsAccess rights reserved
dc.rights.accesszastrzeżony dostęp
dc.rights.accessNoteBrak zgody na udostępnienie pracy w czytelni Biblioteki Wydziałowej
dc.rights.urihttps://repo.agh.edu.pl/info/restricted-access
dc.subjectpowierzchnia krzemupl
dc.subjectwzrost cienkich warstwpl
dc.subjectoktasilseskwioksan z podstawnikami fenylowymipl
dc.titleRola buforowej warstwy tlenkowej na powierzchni Si (100) we wzroście warstw silseskwioksanowychpl
dc.title.alternativeThe role of buffer oxide layer on the Si(100) surface in the growth of silsesquioxane thin filmsen
dc.typepraca dyplomowa
dspace.entity.typePublication
thesis.degree.disciplineInżynieria Materiałowa (WIMiC)pl
thesis.degree.formOfStudystacjonarnepl
thesis.degree.grantorAkademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowiepl
thesis.degree.levelstudia drugiego stopniapl
thesis.degree.namemagister inżynierpl
thesis.identifier.dxp255512
thesis.statusORPDORPPD1_sent

Files