Repository logo
Thesis

Porównanie właściwości tranzystorów MOSFET, SiC i GaN w klasie napięciowej 600-650V na podstawie analizy strat mocy w przekształtniku typu buck

Loading...
Thumbnail Image

Defence Date

2018-07-13

Supervisors:

Reviewers:

Access rights

Access: zastrzeżony dostęp
Access details: Zarządzenie Rektora AGH
Rights: access rights reserved
Access rights reserved

Access rights reserved - License not granted

Other title

Comparison of the properties of MOSFET, SiC and GaN transistors in 600-650V voltage class based on power loss analysis in the buck converter

Defence details

Degree Grantor: Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie
Course: Elektrotechnika (WEAIiIB)
Form of study: stacjonarne
Degree level: studia drugiego stopnia
Degree name: magister inżynier

Description

Abstract

Access rights

Access: zastrzeżony dostęp
Access details: Zarządzenie Rektora AGH
Rights: access rights reserved
Access rights reserved

Access rights reserved - License not granted